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GaN HEMT為開關應用帶來低噪聲功率

  • 氮化鎵 （GaN） 高電子遷移率晶體管 （HEMT） 是場效應晶體管的一種形式，它在微波頻率下工作時結合了高水平的性能和低噪聲系數。不過，HEMT 與其他類型的 FET 器件有些不同，它的性能優(yōu)于標準結或 MOSFET。這些獨特的器件在微波射頻 （RF） 應用中表現出色。來自 n 型區(qū)域的電子穿過晶格，許多電子保持在異質結附近（異質結是指通過兩個或多個半導體的接觸耦合形成的界面區(qū)域）。這種只有一層厚的電子形成二維電子氣體。650V GaN HEMT 的開關能量 （Esw） 是在硬開關條
  • 關鍵字： GaN  HEMT  開關應用  低噪聲功率  

CGD 官宣突破100KW以上技術，推動GAN挺進超100億美元的電動汽車逆變器市場

  • 無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產品非常易于設計和運行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT IC 和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）組合在同一個模塊或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，為昂
  • 關鍵字： CGD  GAN  電動汽車  逆變器  

基于GaN的汽車應用的最新進展是什么？

  • 電動汽車 （EV） 越來越受歡迎，因為精明的消費者，尤其是在加利福尼亞州，認識到出色的加速性能的優(yōu)勢，例如，當紅綠燈變綠時，汽油動力汽車可能會被塵土甩砸。這是因為電動機在駕駛員踩下油門的那一刻就會產生峰值扭矩。然而，與內燃機 （ICE） 汽車相比，電動汽車的主要動機是能源效率。EV 車載電池充電器EV1 的車載電池充電器 （OBC） 完全能夠為來自交流電網的高壓牽引電池充電（圖 1）。停放的車輛插入 EV 1 級和 2 級交流充電站之一，這些充電站出現在停車場、家庭、公司、購
  • 關鍵字： GaN  汽車應用  OBC  高壓 DC-DC轉換器  

氮化鎵（GaN）賦能D類音頻放大器的未來

  • 了解如何將氮化鎵（GaN）功率晶體管技術應用于D類音頻放大器，可以提高信號保真度，降低功耗，并提供比硅更輕、更具成本效益的解決方案。在音頻工程中，放大器是傳遞強大、沉浸式聲音的核心設備。這些設備將低功率音頻信號轉換為豐富、高功率的輸出，從而驅動從便攜式揚聲器到專業(yè)音響系統(tǒng)的一切設備。在過去十年中出現的各種放大器設計中，有一種脫穎而出：D類放大器。以其高效性和廣泛使用而聞名，D類技術主導了現代音頻領域。然而，即使是最受歡迎的放大器也有其局限性。當前的D類音頻系統(tǒng)雖然效率很高，但在性能上仍面臨挑戰(zhàn)。D類放大器
  • 關鍵字： GaN  放大器  

GaN功率FET及背后柵極驅動器在LiDAR傳感器中的作用

  • 氮化鎵 （GaN） 功率器件因其超快的開關速度和有限的寄生效應而成為 LiDAR 傳感器的核心構建模塊之一，從而在高總線電壓和窄脈沖寬度下實現高峰值電流。為了迎來自動駕駛汽車的未來，必須在車輛系統(tǒng)內使用更先進的傳感器。LiDAR 是檢測自動駕駛汽車周圍物體存在的更廣泛使用的傳感器之一，它是光檢測和測距的縮寫，它從激光射出光并測量場景中的反射，有點像基于光的雷達。車輛的車載計算機可以使用這些數據來解釋汽車與周圍環(huán)境的關系以及道路上是否存在其他汽車和物體。LiDAR 傳感器必須基于一個非常快速的開關，該開關為
  • 關鍵字： GaN  功率FET  柵極驅動器  LiDAR  傳感器  

50V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關特性，因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。
  • 關鍵字： GaN HEMT  GaN  ROHM  

日本電裝開發(fā)出GaN 三電平汽車電驅方案

  • 據日媒報道，名古屋大學和日本電裝公司利用橫向 GaN HEMT，合作開發(fā)出了一種 800V 兼容逆變器（三相、三電平），主要用于驅動使用的電動汽車牽引電機（圖 1）。據了解，名古屋大學與松下控股、豐田合成、大阪大學和電裝合作，參與了日本環(huán)境省自 2022 年以來實施的項目“加速實現創(chuàng)新 CO? 減排材料的社會實施和傳播項目”。新開發(fā)的高壓三電平逆變器是該項目努力的結果。圖1 ：電裝橫向 GaN HEMT 電驅逆變器（左）、單相降壓 DC-DC 轉換器運行時的開關波形（右）。提高電動汽車和混合動力電動汽車（
  • 關鍵字： 日本電裝  GaN  三電平  汽車電驅  

復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質集成的探索

  • 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業(yè)化，仍有賴于通用標準協(xié)議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
  • 關鍵字： 復旦大學  Si CMOS  GaN  單片異質集成  

650V耐壓GaN HEMT新增小型與高散熱TOLL封裝

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關特性，因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。
  • 關鍵字： GaN HEMT  TOLL封裝  ROHM  

技術洞察 | 邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

  • 作者Nihit Bajaj 英飛凌科技 GaN產品高級總監(jiān)校對宋清亮 英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務高級首席工程師過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022年全球數據中心耗電量約為240-340太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40%的速度持續(xù)增長 [1] 。圖1：1910年以來
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  

春晚科技 「秧」 光：人形機器人未來已來

  • 在科技浪潮的推動下，人形機器人正逐漸從幕后走向臺前。在 2025 央視春晚中，著名電影導演張藝謀攜手杭州宇樹科技、新疆藝術學院帶來了一個名為《秧 BOT》的節(jié)目。舞臺上，宇樹科技的人形機器人與新疆藝術學院的舞蹈演員們默契共舞，人機互動的奇妙場景，不僅帶來了一場別開生面的視覺盛宴，展現出一種前所未有的科技美感，更讓觀眾真切感受到人形機器人時代的腳步正越來越近。這群 BOT 什么來頭？春晚舞臺上的《秧 BOT》節(jié)目，由 16 個靈動的 BOT（機器人 robot 的簡稱）與 16 名技藝精湛的新疆藝術學院舞蹈
  • 關鍵字： 人形機器人  GaN  CIS  傳感器  

日常生活中的工業(yè)技術：助力智能生活的幕后力量

  • 大多數人在想象工業(yè)應用中的技術時，想到的是大型的機械和復雜的制造流程，這似乎與日常生活毫無關聯(lián)。然而通過實時控制，系統(tǒng)可以在規(guī)定的時間范圍內收集、處理數據并自行更新。智能感應可以檢測人員和機械，而邊緣人工智能 (AI) 可以快速、高效地做出決策。這些技術涵蓋從制造到物流的方方面面。它們就像超人一樣，從我們早上起床到晚上睡覺休息的這段時間里，在幕后悄悄地執(zhí)行著各種各樣的任務，讓我們的世界正常運轉。對我們的日常生活來說，在工業(yè)應用中使用的技術與智能手機一樣重要且有益。它們?yōu)槲覀児?jié)省了時間，增加了便利性；保護我
  • 關鍵字： 工業(yè)技術  智能生活  德州儀器  C2000  GaN  

國產1700V GaN器件進一步打開應用端市場

  • 遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結（PSJ: Polarization Super Junction）技術，并對工藝進行進一步優(yōu)化，使器件的額定工作電壓和工作電流得到更大的提升（1700V/30A）。本次測試采用遠山半導體提供的1700V/100mΩ規(guī)格GaN樣品,其可以輕松應對1000V輸入電壓下的開關測試需求，在靜態(tài)測試條件下，1700V時測得
  • 關鍵字： GaN  電流崩塌  功率器件  

邁向更綠色的未來：GaN技術的變革性影響

  • 過去幾十年間，人口和經濟活動的快速增長推動了全球能源消耗的穩(wěn)步增長，并且預計這一趨勢還將持續(xù)。這種增長是線下與線上活動共同作用的結果。因此，數據中心的快速擴張顯著增加了全球電力需求。據估計，2022 年全球數據中心耗電量約為240-340 太瓦時（TWh）。近年來，全球數據中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持續(xù)增長[1]。圖1 1910年以來全球二氧化碳排放量（單位：千兆噸）：總量（上）；按行業(yè)劃分（下）隨著能源消耗的增加，相關的二氧化碳排放量也在2022年達到創(chuàng)紀錄的37 千兆噸。為應對這一問題，
  • 關鍵字： 202412  GaN  CoolGaN  

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
  • 關鍵字： 英飛凌  GaN  SiC  電氣工程師  
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gan system介紹

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